Élaboration et Caractérisation des Couches Minces de Sulfure de Zinc (ZnS) Préparés par la Technique SILAR (Successive Ionique Layer Adsorption and Reaction) - Djelloul, A.; Adnane, M.; Lerbah, Y.; Sahraoui, T.; Hamzaoui, S. (Algerian Journal of Research and Technology (AJRT), 2016)
Le sulfure de zinc appartient au groupe II-VI des matériaux composés semiconducteurs. Le ZnS est un matériau semi-conducteur très important avec un grand gap optique (>3.5 ev), dont une grande utilité dans les dispositifs en couches minces ; dont une grande utilité dans les dispositifs en couches minces, comme les dispositifs photoluminescents et diodes électroluminescentes. En outre, le ZnS est un matériau important dans les diodes émettrices en petite longueur d’onde et dans les cellules solaires à base des couches mince en hétérojonctions comme couche tampon. Dans ce travail, on s’est intéressé à l’élaboration des couches minces d’un semi-conducteur du type II-VI : le sulfure de Zinc (ZnS), et à l'étude de ses propriétés optiques, électriques, structurales et morphologique qui ont été préparées par la technique SILAR (Successif ionique Layer Adsorption and Reaction). Notre objectif est de donner une étude compréhensive sur l’effet du nombre de cycles sur les propriétés physiques de couches minces de ZnS. Dans la première partie de ce travail nous avons mis au point les techniques de dépôt ; la deuxième partie, est relative à l’élaboration d’une série de films avec différentes conditions de déposition en vue d’une optimisation du procédé dans le but d'obtenir de films avec de bonnes propriétés optoélectroniques pour être appliqués éventuellement en photovoltaïque. Nous avons ensuite effectuaient des analyses d’échantillons élaborés par différentes techniques de caractérisation : DRX, MEB, EDAX, mesures électriques et optiques, enfin la caractérisation Ie(V) de l’hétérojonction [(SnO2 : F)/ZnS], [(ZnO : Al)/ZnS], [ZnS/CIS].